- エレクトロニクス
- サステナビリティ
高耐熱仮固定用UVテープ SELFA™シリーズ
UV照射で容易な剥離を実現する高耐熱・高接着の仮固定テープ
半導体ウェハやチップの加工工程において、高い接着力と剥離性を両立したUV剥離テープ。独自の技術でUV照射によりガスを発生させ、ウェハにダメージを与えることなく取り外しが可能。耐熱性・耐薬品性に優れたラインナップで、多様な工程に対応します。
- エレクトロニクス
両面耐熱 SELFA™ HWシリーズ
特性：
- 耐熱性
- 耐薬品性
- 低残渣
- 軽剥離
テープ式ガラスサポートによりハンドリング性向上を実現します。
ガス発生によりダメージレス剥離が可能です。耐熱性、耐薬品性に優れています。
プロセス
-
-
-
-
-
-
-
-
評価結果
Ⅰ．ミラーウェハBG後のTTV評価
測定方法
TTVマッピング結果
【平均】 厚み：24.4μm／ TTV:2.9μm
| n=1 | n=2 | n=3 | n=4 | n=5 |
|---|---|---|---|---|
 |
 |
 |
 |
 |
| Thk:25.1μm TTV:3.4μm |
Thk:24.5μm TTV:2.8μm |
Thk:24.7μm TTV:2.9μm |
Thk:24.3μm TTV:2.7μm |
Thk:23.4μm TTV:2.9μm |
- 当社独自の「Pre UV技術」で業界最高のTTV制御性を提供します。
- <3μm@12” ウェハ
Ⅱ．熱処理後の残渣評価 ＜オーブンによる剥離テスト＞
チェックポイント：
- 耐熱性
- 機器および条件
-
- メーカー：ETAC
- モデル：CSO-603BF
- 温度：180〜220°C
- 時間：1〜2時間
- ウェハ・サンプル
-
8inch Bump TEG Wafer
実験結果
| 180°C | 200°C | 220°C | |
|---|---|---|---|
| 1時間 |  |
 |
 |
| 2時間 |  |
 |
 |
220°C 2時間の熱ストレス後、パターン化したTEGウェハ上に残渣は見られませんでした。
片面耐熱 SELFA™ HSシリーズ
特性：
- 耐熱性
- 耐薬品性
- 低残渣
リフロー、CVD、スパッタ等の熱工程時に、デバイスをサポート、保護します。
プロセス
-
-
-
-
-
-
耐熱性テスト（ボイド）
ホットプレート評価
- サンプル
- 装備・条件
- メーカー：NINOS社
- モデル：ND-3H
- 温度：180°C〜250°C
- 時間：30〜180分
テスト結果
加熱後の剥離性
| 30分 | 60分 | 120分 | 180分 | |
|---|---|---|---|---|
| 180°C | OK | OK | OK | OK |
| 220°C | OK | OK | OK | OK |
| 250°C | OK | OK | OK | OK |
- 上記データは測定値であり、保証値ではありません。
加熱後の接着強度
加熱後のウェハの状態
ホットプレート評価で熱処理中のボイド発生がなく、剥離時には残渣が最大220°C/180分まで発生しない事を確認しています。
片面自己剥離
SELFA™ MPシリーズ
特性：
- 軽剥離
めっき工程時のウェハ裏面保護用テープです。UV照射によりガスが発生することで、被着体から剥離することができます。
無電解めっき処理時のウェハ保護プロセス（無電解メッキ法）
-
-
-
-
めっき工程の強酸・強アルカリへの耐性に優れ、ウェハを保護した後は、低応力での剥離が可能です
ボイドと残渣の結果
チェックポイント：
- 軽剥離
Auめっき後のウェハ
ボイド、エッジの剥離がありません
有機残留物検査@8’ウェハ
SELFA™ MPは、剥離後に残渣が観察されませんでした
資料ダウンロード
- すべて
- エレクトロニクス
| 名称 | 種別 | 形式 | 更新日 | ファイル |
|---|---|---|---|---|
| カタログ 〈エレクトロニクス〉：高耐熱仮固定用UVテープ SELFA™シリーズ | エレクトロニクス | 2025-09-30 | ダウンロード1,022.09 KB |
