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半導体ウエハのダメージ防止
半導体ウエハの製造では、研磨工程でウエハをしっかり固定する必要があり、固定材をはがすときに高価なウエハにダメージを与えるリスクがあります。
高接着・易剥離のUV剥離テープ
「SELFA」とは高い接着性と剥離しやすさを両立させたUV剥離テープです。
UV照射によりテープと被着体間にガスが発生し、密着力をゼロにして簡単に剥がすことが出来、薄く研磨されたウェハ等でもダメージ無く加工することが可能になります。
耐熱性に優れた片面「SELFA HS」、耐熱テンポラリーボンディング材の「SELFAHW」、耐薬品性に優れた「SELFA MP」など幅広いラインナップから最適な品番を提案させて頂きます。
技術情報
技術概要
高耐熱
220℃×2時間の耐熱性を担保
低残渣性にも優れている
リフロー、アニール、スパッタリング等の工程で使用実績あり
耐薬品性
多種多様な薬剤に対する適応性あり
無電解メッキ、粗化処理、レジスト露光/現像、 薬液洗浄等
ガス剥離
積水の独自技術である“ガス剥離”は
被着体からの易剥離性を実現
ガラスやウエハ等のセンシティブな
被着体からの剥離実績あり
取り扱い性良し
テープタイプのため、他社仮固定材と
比較してハンドリング性良好。
加えて品質や価格面でもメリット多数
技術詳細
高耐熱220℃×2時間、260℃×5分の耐熱性を有し、更なる耐熱性向上を目指している。
高温処理時でも、残渣なし
耐薬品性あらゆる薬剤に対する適応性
| ｱｲﾃﾑ | 溶剤 | 温度(℃) | 処理時間 (秒) | 重量減 (wt%) |
|---|---|---|---|---|
| 1 | ﾃﾄﾗﾋﾄﾞﾛﾌﾙﾌﾘﾙｱﾙｺｰﾙ 75-100% | 60 | 420 | ≤１ |
| 2 | NMP | 50 | 3000 | ≤１ |
| 3 | KOH 1% | 25 | 90 | ≤１ |
| 4 | CuSO4 18% | 4200 | ≤１ | |
| 5 | H2SO4 5-10% | 4200 | ≤１ | |
| 6 | HCI 6% | 4200 | ≤１ | |
| 7 | 酢酸 10% | 60 | ≤１ | |
| 8 | HF 0.5% | 900 | ≤１ | |
| 9 | NH4OH 30% | 900 | ≤１ | |
| 10 | PGME | 900 | ≤１ | |
| 11 | PGMEA | 900 | ≤１ | |
| 12 | TMAH 2.38% | 7200 | ≤１ | |
| 13 | IPA | 900 | ≤１ | |
| 14 | C6H8O7 5% | 900 | ≤１ | |
| 15 | H2O2 30% | 900 | ≤１ | |
| 16 | KOH 5% | 900 | ≤１ | |
| 17 | DMSO | 900 | ≤１ |
ガス剥離 ガス剥離により、被着体に優しく易剥離が可能
UV反応挙動
UV reaction of SELFA
取り扱い性良し
- 特殊な表面形状の被着体にも対応可能
(e.g. MEMS, ubump, Taiko™ wafer, etc.) - 簡易なプロセス制御により
良好なTTV性能を実現 - 製造プロセスがシンプルなため、
他の仮固定材技術に比べて、
コストパフォーマンスが高い
(e.g. laser debond).
Wafer TTV after BG
| Mapping |  |
|---|---|
| Histogram |  |
| THK | 24.9 um |
| TTV | 2.8 um |
両面耐熱 SELFA™ HWシリーズ
特性：
- 耐熱性
- 耐薬品性
- 低残渣
- 軽剥離
テープ式ガラスサポートによりハンドリング性向上を実現します。
ガス発生によりダメージレス剥離が可能です。耐熱性、耐薬品性に優れています。
プロセス
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評価結果
Ⅰ．ミラーウェハBG後のTTV評価
測定方法
TTVマッピング結果
【平均】 厚み：24.4μm／ TTV:2.9μm
| n=1 | n=2 | n=3 | n=4 | n=5 |
|---|---|---|---|---|
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| Thk:25.1μm TTV:3.4μm |
Thk:24.5μm TTV:2.8μm |
Thk:24.7μm TTV:2.9μm |
Thk:24.3μm TTV:2.7μm |
Thk:23.4μm TTV:2.9μm |
- 当社独自の「Pre UV技術」で業界最高のTTV制御性を提供します。
- <3μm@12” ウェハ
Ⅱ．熱処理後の残渣評価 ＜オーブンによる剥離テスト＞
チェックポイント：
- 耐熱性
- 機器および条件
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- メーカー：ETAC
- モデル：CSO-603BF
- 温度：180〜220°C
- 時間：1〜2時間
- ウェハ・サンプル
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8inch Bump TEG Wafer
実験結果
| 180°C | 200°C | 220°C | |
|---|---|---|---|
| 1時間 |  |
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| 2時間 |  |
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220°C 2時間の熱ストレス後、パターン化したTEGウェハ上に残渣は見られませんでした。
片面耐熱 SELFA™ HSシリーズ
特性：
- 耐熱性
- 耐薬品性
- 低残渣
リフロー、CVD、スパッタ等の熱工程時に、デバイスをサポート、保護します。
プロセス
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耐熱性テスト（ボイド）
ホットプレート評価
- サンプル
- 装備・条件
- メーカー：NINOS社
- モデル：ND-3H
- 温度：180°C〜250°C
- 時間：30〜180分
テスト結果
加熱後の剥離性
| 30分 | 60分 | 120分 | 180分 | |
|---|---|---|---|---|
| 180°C | OK | OK | OK | OK |
| 220°C | OK | OK | OK | OK |
| 250°C | OK | OK | OK | OK |
- 上記データは測定値であり、保証値ではありません。
加熱後の接着強度
加熱後のウェハの状態
ホットプレート評価で熱処理中のボイド発生がなく、剥離時には残渣が最大220°C/180分まで発生しない事を確認しています。
片面自己剥離
SELFA™ MPシリーズ
特性：
- 軽剥離
めっき工程時のウェハ裏面保護用テープです。UV照射によりガスが発生することで、被着体から剥離することができます。
無電解めっき処理時のウェハ保護プロセス（無電解メッキ法）
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めっき工程の強酸・強アルカリへの耐性に優れ、ウェハを保護した後は、低応力での剥離が可能です
ボイドと残渣の結果
チェックポイント：
- 軽剥離
Auめっき後のウェハ
ボイド、エッジの剥離がありません
有機残留物検査@8’ウェハ
SELFA™ MPは、剥離後に残渣が観察されませんでした
