熱固化型層間絕緣薄膜|高性能半導體載板絕緣增層膜 (Build-up Film)
有助於電子設備的微精細佈線、高速通訊之增層薄膜
在超多層、大尺寸的IC封裝基板中,是降低傳輸損耗與翹曲控制兼具的絕緣材料。在微精細佈線及薄型化日益增進之高性能基板上亦能穩定使用。有助於提高基板設計的自由度,並且製造高可靠性的FC-BGA基板。
什麼是絕緣增層膜(Build-up Film)?高密度封裝的核心材料

絕緣增層膜是一種用於先進IC封裝基板上形成微細配線層的層間絕緣材料。隨著電子裝置高速化,IC封裝基板也必須因應更高速度與高性能化的需求,呈現出高密度化的發展趨勢。除了需具備優異的微細通孔形成能力與低介電特性外,在加工與組裝時抑制翹曲的尺寸穩定性也成為關鍵要素。此類先進IC封裝基板已廣泛應用於AI、伺服器及網路設備等領域,絕緣增層膜已成為支撐高性能、高信賴性電子裝置實現的關鍵材料。
特徵

積水化學的絕緣增層膜(BUF)兼具優異的傳輸特性與尺寸穩定性,並在高層數、大尺寸的高階IC封裝基板(FC-BGA)中擁有眾多採用實績。
其低介電與低翹曲特性,可提升封裝設計自由度,助力次世代裝置的高性能化與高可靠性。
- 抑制基板翹曲
- 低傳輸損耗
- 實現FLS
(Fine Line Space) - 優異的填充性
積水化學的優勢
積水化學的絕緣增層膜(BUF)透過獨創性的配方與塗佈技術,實現了低介電損耗(低Df)、去污蝕(Desmear)後均一的表面粗糙度以及高抗裂性。藉此可達成低傳輸損耗、支援微細配線與良率提升等次世代基板所需特性。
支援精細線路(Fine Pitch)圖形製程的高解析度特性
BUF: QX / SEKISUI CHEMICAL Co., Ltd.
DFR: DA Series / Asahi Kasei Corp.
Exposure: DI Exposure / ADTEC Engineering Co., Ltd.
優異的微小孔洞填充性(Via Filling)與氣孔抑制技術

低應力與低 CTE 設計,有效抑制載板剝離與翹曲
此外,積水化學充分發揮多年累積的膠帶製造技術,可靈活對應多種厚度需求也是其特點之一。
標準厚度範圍為20~100 µm(以2.5 µm為間隔),如需其他厚度規格,歡迎洽詢。

我們絕緣增層膜的客戶
產品規格陣容
| NX04H | NQ07V | QX04 | EL | ||
|---|---|---|---|---|---|
| HVM | Sampling | Sampling | |||
| Df | @10GHz (Split Cylinder) |
0.0079 | 0.0038 | 0.0024 | ≦0.0025 |
| Dk | @10GHz (Split Cylinder) |
3.4 | 3.5 | 3.3 | ≦2.5 |
| CTE (25-150℃) | ppm/℃ | 24.5 | 27 | 15 | 17-23 |
| Tg (DMA) | ℃ | 205 | 183 | 177 | n.d. |
| Young’s Modulus | GPa | 8.0 | 10.4 | 14.0 | n.d. |
| Elongation | % | 2.4 | 2.6 | 2.9 | n.d. |
| Tensile Strength | MPa | 100 | 105 | 110 | n.d. |
| Thermal Conductivity | W/m K | 0.46 | 0.46 | 0.62 | n.d. |
應用範例
積水化學的絕緣增層膜(BUF)被應用於執行先進通信與運算處理的IC封裝基板,並廣泛使用於以下領域:

AI運算模組- 具備能滿足GPU與AI晶片高發熱、高密度配線需求的熱穩定性與加工適性。
資料中心伺服器- 以優異的介電特性與耐久性,提升支撐大量資料處理之高階伺服器電路的可靠性。
乙太網路交換器- 憑藉高速傳輸性能與穩定品質,在支撐5G與雲端運算的網路設備領域中具有全球性採用實績。
高性能PC與工作站- 於日益複雜、多層化的高性能系統中,兼顧訊號品質與製造效率。
使用工藝
積水的絕緣增層膜能夠對應半加成法(SAP)製程,並有寬裕穩定的製程調整範圍
大多的主要日台IC載板廠商以及封測廠(OSAT)都和積水在絕緣增層膜上擁有廣泛的合作
適用於 Semi-Additive Process (SAP) 半加成法精密線路製程


若您需要詳細的半加成法(SAP)製程參數與產品情報請聯繫我們
歡迎洽詢
積水 正在開發新的熱硬化型絕緣增層膜,它將成為未來高速通信所需的各種技術問題的解決方案。
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