熱固化型層間絕緣薄膜
有助於電子設備的微精細佈線、高速通訊之增層薄膜
- 電子領域
什麼是絕緣增層膜（Build-up Film）
絕緣增層膜是一種用於先進IC封裝基板上形成微細配線層的層間絕緣材料。隨著電子裝置高速化，IC封裝基板也必須因應更高速度與高性能化的需求，呈現出高密度化的發展趨勢。除了需具備優異的微細通孔形成能力與低介電特性外，在加工與組裝時抑制翹曲的尺寸穩定性也成為關鍵要素。此類先進IC封裝基板已廣泛應用於AI、伺服器及網路設備等領域，絕緣增層膜已成為支撐高性能、高信賴性電子裝置實現的關鍵材料。
特徵
積水化學的絕緣增層膜(BUF)兼具優異的傳輸特性與尺寸穩定性，並在高層數、大尺寸的高階IC封裝基板（FC-BGA）中擁有眾多採用實績。
其低介電與低翹曲特性，可提升封裝設計自由度，助力次世代裝置的高性能化與高可靠性。
- 抑制基板翹曲
- 低傳輸損耗
- 實現FLS
（Fine Line Space） - 優異的填充性
積水化學的優勢
積水化學的絕緣增層膜(BUF)透過獨創性的配方與塗佈技術，實現了低介電損耗（低Df）、去污蝕（Desmear）後均一的表面粗糙度以及高抗裂性。藉此可達成低傳輸損耗、支援微細配線與良率提升等次世代基板所需特性。
支援精細圖形製程
BUF: QX / SEKISUI CHEMICAL Co., Ltd.
DFR: DA Series / Asahi Kasei Corp.
Exposure: DI Exposure / ADTEC Engineering Co., Ltd.
優異的填充性與氣孔抑制
低應力設計以抑制剝離與翹曲
此外，積水化學充分發揮多年累積的膠帶製造技術，可靈活對應多種厚度需求也是其特點之一。
標準厚度範圍為20～100 µm（以2.5 µm為間隔），如需其他厚度規格，歡迎洽詢。
我們絕緣增層膜的客戶
Current Product Lineup
| For FCBGA | For Embedded | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NX04H | NQ07XP | QX03 | EL | TC | HE | ||
| HVM | Sampling | Development | Development | ||||
| Df | @5.8GHz | 0.0090 | 0.0037 | 0.0023 | ≦0.0025 | 0.0084 | 0.0050 |
| Dk | @5.8GHz | 3.3 | 3.3 | 3.3 | ≦2.5 | 3.4 | 5 |
| CTE (25-150℃) | ppm/℃ | 24.5 | 27 | 17 | 17-23 | 13 | 20 |
| Tg (DMA) | ℃ | 205 | 183 | 183 | > 170 | 206 | 170 |
| Young’s Modulus | GPa | 8 | 10.4 | 13.1 | > 7 | 12.3 | 20 |
| Elongation | % | 2.4 | 2.6 | 2.9 | > 1.5 | 1.2 | 1.2 |
| Tensile Strength | MPa | 100 | 105 | 110 | > 70 | 102 | 90 |
| Thermal Conductivity | W/m K | 0.5 | 0.5 | 0.6 | > 0.3 | 0.6 | 2.0 |
應用範例
積水化學的絕緣增層膜(BUF)被應用於執行先進通信與運算處理的IC封裝基板，並廣泛使用於以下領域：
AI運算模組- 具備能滿足GPU與AI晶片高發熱、高密度配線需求的熱穩定性與加工適性。
資料中心伺服器- 以優異的介電特性與耐久性，提升支撐大量資料處理之高階伺服器電路的可靠性。
乙太網路交換器- 憑藉高速傳輸性能與穩定品質，在支撐5G與雲端運算的網路設備領域中具有全球性採用實績。
高性能PC與工作站- 於日益複雜、多層化的高性能系統中，兼顧訊號品質與製造效率。
使用工藝
積水的絕緣增層膜能夠對應半加成法（SAP）製程，並有寬裕穩定的製程調整範圍
大多的主要日台IC載板廠商以及封測廠（OSAT）都和積水在絕緣增層膜上擁有廣泛的合作
Semi-Additive Process (SAP)
若您需要詳細的半加成法（SAP）製程參數與產品情報請聯繫我們
歡迎洽詢
積水 正在開發新的熱硬化型絕緣增層膜，它將成為未來高速通信所需的各種技術問題的解決方案。
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