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防止半導體晶圓損傷
在半導體晶圓的製造中，需要在研磨工序中牢固地固定晶圓，在剝離固定材料時，則有對高價晶圓造成損傷的風險。
高接著、易剝離的UV剝離膠帶
「SELFA」是兼顧高接著性和容易剝離兩種特性的UV剝離膠帶。
經由UV照射會讓膠帶與被著體間產生氣體，使密合力變為零，從而能夠輕鬆剝離，即使是研磨得很薄的晶圓等，也可以做到無損傷加工。
廣泛的產品陣容包括：耐熱性有出色表現的單面「SELFA HS」、耐熱暫時性貼合材料的「SELFAHW」、耐化學藥品性有出色表現的「SELFA MP」等，從中選擇最適合的產品編號進行提案。
技術詳情
技術概要
高耐熱
保證220℃×2小時的耐熱性
低殘膠表現優異
已在回流焊、退火、濺鍍等製程中擁有量產實績
耐化學藥品性
對各式各樣的藥劑有適應性
無電解電鍍、粗化處理、光阻劑曝光/顯影、化學清洗等
氣體剝離
運用積水化學的獨家技術「氣體剝離」
讓SELFA能輕易地自被著體剝離。
已擁有從玻璃和晶圓等脆弱被著體上剝離的量產實績
操作性佳
由於是膠帶類型，
因此與其他公司的暫時固定材料相比操作性良好。
另外，在品質與價格層面也有很多優勢
技術詳情
高耐熱 具備220℃×2小時或260℃×5分鐘的耐熱性，並正在努力進一步提升耐熱性。
即使在高溫處理時也沒有殘膠 
耐化學藥品性 對所有藥劑的適應性
| 項目 | 溶劑 | 溫度（℃） | 處理時間（秒） | 重量減少（wt%） |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 四氫糠醇 75～100% | 60 | 420 | ≤１ |
| 2 | NMP | 50 | 3000 | ≤１ |
| 3 | KOH 1% | 25 | 90 | ≤１ |
| 4 | CuSO4 18% | 4200 | ≤１ | |
| 5 | H2SO4 5-10% | 4200 | ≤１ | |
| 6 | HCI 6% | 4200 | ≤１ | |
| 7 | 醋酸 10% | 60 | ≤１ | |
| 8 | HF 0.5% | 900 | ≤１ | |
| 9 | NH4OH 30% | 900 | ≤１ | |
| 10 | PGME | 900 | ≤１ | |
| 11 | PGMEA | 900 | ≤１ | |
| 12 | TMAH 2.38% | 7200 | ≤１ | |
| 13 | IPA | 900 | ≤１ | |
| 14 | C6H8O7 5% | 900 | ≤１ | |
| 15 | H2O2 30% | 900 | ≤１ | |
| 16 | KOH 5% | 900 | ≤１ | |
| 17 | DMSO | 900 | ≤１ |
氣體剝離 採用氣體剝離，可以讓被著體不受損傷輕易剝離
UV反應變化
UV reaction of SELFA
操作性佳
- 也可以應對特殊表面形狀的被著體
(e.g. MEMS, ubump, Taiko™ wafer, etc.) - 透過簡單的製程控制
實現良好的TTV性能 - 由於製程簡單，
與其他的暫時固定材料技術相比，
性價比較高
(e.g. laser debond).
Wafer TTV after BG
| Mapping |  |
|---|---|
| Histogram |  |
| THK | 24.9 um |
| TTV | 2.8 um |
雙面耐熱 SELFA™HW系列
特徵：
- 耐熱性
- 抗藥性
- 低殘膠
- 輕剝離
實現膠帶式暫時固定製程，提升生產性
製程
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測試結果
Ⅰ．晶圓研磨後的TTV測試
測試方法
TTV分佈
【平均】厚度:24.4μm/TTV:2.9μm
| n=1 | n=2 | n=3 | n=4 | n=5 |
|---|---|---|---|---|
 |
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| Thk:25.1μm TTV:3.4μm |
Thk:24.5μm TTV:2.8μm |
Thk:24.7μm TTV:2.9μm |
Thk:24.3μm TTV:2.7μm |
Thk:23.4μm TTV:2.9μm |
- 透過本公司獨有的「Pre UV技術」提供業界最高水準的TTV控制性能。
- <3μm@12”晶圓
Ⅱ．熱製程後的殘膠測試<烤箱加熱測試>
要點:
- 耐熱性
- 設備和條件
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- 製造商: ETAC
- 型號: CSO-603BF
- 溫度: 180-220°C
- 時長: 1~2小時
- 晶圓樣本
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8inch Bump TEG Wafer
結果
| 180°C | 200°C | 220°C | |
|---|---|---|---|
| 1小時 |  |
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| 2小時 |  |
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在220°C下加熱2小時並剝離後，TEG晶圓上未發現殘膠。
單面耐熱 SELFA™HS系列
特徵：
- 耐熱性
- 抗藥性
- 低殘膠
在回流、CVD 和濺鍍等熱處理過程中支撐和保護產品。
製程
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耐熱性測試 (氣泡)
加熱板測試
- 樣本
- 設備・條件
- 製造商: NINOS
- 型號: ND-3H
- 溫度: 180-250°C
- 時長: 30-180分鐘
測試結果
加熱相應時間後的剝離性能
| 30分鐘 | 60分鐘 | 120分鐘 | 180分鐘 | |
|---|---|---|---|---|
| 180°C | OK | OK | OK | OK |
| 220°C | OK | OK | OK | OK |
| 250°C | OK | OK | OK | OK |
- 以上數據為實測值，非保證值。
加熱後的接著強度
加熱後的晶圓狀態
加熱板測試結果證實，在熱製程中並沒有出現氣泡，且在220°C/180分鐘後的剝離過程中沒有殘膠產生。
單面自剝離SELFA™MP系列
特徵：
- 輕剝離
用於在電鍍過程中保護晶圓背面。 UV照射會使其產生氣體，可輕鬆從被黏物上剝離。
無電解電鍍製程中的晶圓保護技術(無電解電鍍法)
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在電鍍過程中具有優異的耐強酸、耐強鹼性能，保護晶圓，並且可以輕鬆剝離。
氣泡和殘膠測試結果
要點：
- 輕剝離
鍍Au晶圓
沒有氣泡，邊緣沒有剝離
有機殘留物檢測@8”晶圓
將SELFA™ MP剝離後，未觀察到殘膠
