- 電子
- 永續發展
高耐熱暫時固定用UV膠帶 SELFA™系列
透過UV照射即可輕易剝離之高耐熱、高黏著的暫時固定膠帶
適用於半導體晶圓和晶片之加工製程，具有高黏著強度與剝離性的UV剝離膠帶以獨特的技術透過UV照射產生氣體進行拆卸，不會損傷晶圓。產品具有優異的耐熱性、耐藥品性，可以使用於多種製程中。
- 電子領域
雙面耐熱 SELFA™HW系列
特徵：
- 耐熱性
- 抗藥性
- 低殘膠
- 輕剝離
實現膠帶式暫時固定製程，提升生產性
製程
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測試結果
Ⅰ．晶圓研磨後的TTV測試
測試方法
TTV分佈
【平均】厚度:24.4μm/TTV:2.9μm
| n=1 | n=2 | n=3 | n=4 | n=5 |
|---|---|---|---|---|
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| Thk:25.1μm TTV:3.4μm |
Thk:24.5μm TTV:2.8μm |
Thk:24.7μm TTV:2.9μm |
Thk:24.3μm TTV:2.7μm |
Thk:23.4μm TTV:2.9μm |
- 透過本公司獨有的「Pre UV技術」提供業界最高水準的TTV控制性能。
- <3μm@12”晶圓
Ⅱ．熱製程後的殘膠測試<烤箱加熱測試>
要點:
- 耐熱性
- 設備和條件
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- 製造商: ETAC
- 型號: CSO-603BF
- 溫度: 180-220°C
- 時長: 1~2小時
- 晶圓樣本
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8inch Bump TEG Wafer
結果
| 180°C | 200°C | 220°C | |
|---|---|---|---|
| 1小時 |  |
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| 2小時 |  |
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在220°C下加熱2小時並剝離後，TEG晶圓上未發現殘膠。
單面耐熱 SELFA™HS系列
特徵：
- 耐熱性
- 抗藥性
- 低殘膠
在回流、CVD 和濺鍍等熱處理過程中支撐和保護產品。
製程
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耐熱性測試 (氣泡)
加熱板測試
- 樣本
- 設備・條件
- 製造商: NINOS
- 型號: ND-3H
- 溫度: 180-250°C
- 時長: 30-180分鐘
測試結果
加熱相應時間後的剝離性能
| 30分鐘 | 60分鐘 | 120分鐘 | 180分鐘 | |
|---|---|---|---|---|
| 180°C | OK | OK | OK | OK |
| 220°C | OK | OK | OK | OK |
| 250°C | OK | OK | OK | OK |
- 以上數據為實測值，非保證值。
加熱後的接著強度
加熱後的晶圓狀態
加熱板測試結果證實，在熱製程中並沒有出現氣泡，且在220°C/180分鐘後的剝離過程中沒有殘膠產生。
單面自剝離SELFA™MP系列
特徵：
- 輕剝離
用於在電鍍過程中保護晶圓背面。 UV照射會使其產生氣體，可輕鬆從被黏物上剝離。
無電解電鍍製程中的晶圓保護技術(無電解電鍍法)
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在電鍍過程中具有優異的耐強酸、耐強鹼性能，保護晶圓，並且可以輕鬆剝離。
氣泡和殘膠測試結果
要點：
- 輕剝離
鍍Au晶圓
沒有氣泡，邊緣沒有剝離
有機殘留物檢測@8”晶圓
將SELFA™ MP剝離後，未觀察到殘膠
