エレクトロニクス

熱硬化型層間絶縁フィルム

電子デバイスの微細配線化・高速通信化に寄与するビルドアップフィルム

高多層・大サイズのICパッケージ基板において、伝送損失の低減と反り抑制を両立する絶縁材料。微細配線化や薄型化が進む高性能基板にも安定した使用が可能。基板設計の自由度を高めるとともに、高信頼性のFC-BGA基板の製造に寄与します。

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使用例

積水化学のビルドアップフィルムは優れた伝送性能と反り抑制が可能であり、そうした性能が求められる高多層・大サイズのハイエンドICパッケージ基板において多くの実績を有します。

伝送性能の向上と高い信頼性を可能にする積水化学のビルドアップフィルムは、パッケージデザインの自由度向上に寄与します。

What is Build-up Dielectric (BU) Film

BUフィルムとはICパッケージ基板において微細配線形成に用いる層間絶縁フィルムです。電子デバイスの微細配線化・高速通信化に伴い、BUフィルムには伝送ロスを低く抑えることが求められます。また、デバイスの薄膜化に伴い、薄型化した基板の反りを抑える働きが求められます。

導入メリット

積水化学のビルドアップフィルムは、セミアディティブプロセス(SAP)に適合し、幅広いプロセスウィンドウで安定して使用可能です。

日本および台湾の複数の基板メーカー様および主要OSAT様での量産実績を有します。

セミアディティブプロセス(SAP)

弊社ビルドアップフィルムの推奨SAP製造条件など製品に関する情報はお気軽にお問合せください。

製品ラインナップ

	NX04H (HVM)	NQ07XP (LVM)	Next Target (Under Development)
CTE (25-150°C) [ppm/°C]	24.5	27	24
CTE (150-240°C) [ppm/°C]	70	94	82
Dk (5.8GHz)	3.3	3.3	3.3
Df (5.8GHz)	0.0090	0.0037	0.0023
Tensile Strength [MPa]	100	105	110
Young’s Modulus [GPa]	8	10	12
Tg (DMA) [°C]	205	183	183
Elongation [%]	2.4	2.6	2.6
Ra (WYKO) [nm]	50	50	50
Available Thicknesses [μm]	> 20	> 20	> 20
Flame Retardant (UL94)	V0	V0	( V0 ※yet to be certified)
Applications	Package Substrates for CPU, Networking, PCIe Switch devices and more

技術

積水化学独自の配合技術と塗工技術の組み合わせにより、SEKISUIのビルドアップフィルムは、低誘電損失正接(Df)、デスミア後の均一な表面粗さ、高いクラック耐性を同時に実現します。
これらの特性により、次世代基板の低伝送損失、微細配線形成、歩留り改善に寄与します。

積水化学は長年のテープ製造メーカーとしての技術力をいかし、各種御要望の厚みに幅広く対応致します。