高耐熱仮固定用UVテープ SELFA™シリーズ
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고내열 임시고정용 SELFA™ 시리즈

UV조사로 쉽게 박리가능한 고내열 및 고밀착 임시고정테이프

반도체 웨이퍼 및 칩 가공공정에서 높은 접착력과 박리성을 모두 갖춘 UV 박리테이프입니다. 독자적 기술로 UV조사를 통해 가스를 발생시켜 웨이퍼에 데미지를 주지 않고 벗겨낼 수 있습니다. 내열성 및 내약품성에 뛰어난 라인업으로 다양한 공정에 대응 가능합니다.
  • 모빌리티
  • 일렉트로닉스
製品特性 接着
製品カテゴリー 安全(ADAS)

반도체 웨이퍼의 데미지 방지

반도체 웨이퍼 제조 시 연마공정에서 웨이퍼를 완전히 고정해야 하기 때문에 고정재를 벗겨낼 때 고가의 웨이퍼에 데미지를 줄 우려가 있습니다.

고접착・쉬운박리 UV박리테이프

‘SELFA’는 쉽게 떼어낼 수 있고 강한 접착력을 가진 UV 박리테이프입니다.
자외선을 통해 테이프와 피착체 사이에 가스를 발생시켜 밀착력을 제로로 만들어 간단하게 벗겨낼 수 있기 때문에 얇게 연마된 웨이퍼 등을 데미지 없이 가공할 수 있습니다.
내열성에 뛰어난 단면 ‘SELFA HS’, 내열 임시고정(TBDB)재 ‘SELFA HW’, 내약품성이 뛰어난 ‘SELFA MP’ 등 다양한 라인업으로 최적의 제품을 제안합니다.

기술정보

기술개요

  고내열

220℃×2시간의 내열성을 보장
우수한 저잔사성
리플로우, 어닐링, 스퍼터링 등의 공정에서 사용

 내약품성

각종 약제에 대한 적응성
무전해 도금, 표면조도처리, 레지스트노광/현상, 약품세정 등

 가스 박리

세키스이의 독자적 기술인 “가스 박리”는
피착체로부터 간단히 벗겨낼 수 있습니다.
글라스나 웨이퍼 등의 민감한
피착체로부터 박리가 가능합니다.

  취급성 양호

테이프 타입이기 때문에 타사의 임시 고정재에 비
해 핸들링이 양호.
게다가 품질과 가격 면에서도 메리트가 많습니다.

기술상세

 고내열220℃×2시간,260℃×5분의 내열성을 가졌으며, 더 높은 내열성을 목표로 하고 있습니다.

고온 처리 시에도 잔여물 없음

 내약품성모든 약제에 대응 가능

아이템 약제 온도(℃) 처리시간(초) 중량감소(wt%)
1 테트라히드로푸르푸릴알코올 75-100% 60 420 ≤1
2 NMP 50 3000 ≤1
3 KOH 1% 25 90 ≤1
4 CuSO4 18% 4200 ≤1
5 H2SO4 5-10% 4200 ≤1
6 HCI 6% 4200 ≤1
7 초산 10% 60 ≤1
8 HF 0.5% 900 ≤1
9 NH4OH 30% 900 ≤1
10 PGME 900 ≤1
11 PGMEA 900 ≤1
12 TMAH 2.38% 7200 ≤1
13 IPA 900 ≤1
14 C6H8O7 5% 900 ≤1
15 H2O2 30% 900 ≤1
16 KOH 5% 900 ≤1
17 DMSO 900 ≤1

 가스 박리 가스 박리로 피착체에서 쉽게 박리가 가능

UV 반응거동

UV reaction of SELFA

 취급성 양호

  • 특수한 표면 형상의 피착체에도 대응 가능
    (e.g. MEMS, ubump, Taiko™ wafer, etc.)
  • 간단한 공정 제어로
    양호한 TTV 성능 구현
  • 제조공정이 간단하기 때문에
    다른 임시 고정재 기술에 비해
    비용 절감이 가능
    (e.g. laser debond).
Wafer TTV after BG
Mapping
Histogram
THK 24.9 um
TTV 2.8 um

양면 내열 SELFA™ HW Series

특성:

  • 내열성
  • 내화학성
  • 저잔류물
  • 쉽게 벗겨지는

테이프 방식의 글래스 서포트 시스템을 실현하여, 생산성 향상에 공헌

양면내열 SELFA™ HW Series

프로세스

  • 라미네이션
    라미네이션
  • 본딩
    본딩
  • Pre UV 조사
    Pre UV 조사
  • BG
    BG
  • 열처리
    열처리
  • 다이싱 테이프
    다이싱 테이프
  • Post UV조사 & DB
    Post UV조사 & DB
  • 테이프 박리
    테이프 박리

평가 결과

Ⅰ.미러웨이퍼BG 후 TTV 평가

측정 방법
  • 측정 방법_1
  • 측정 방법_2
  • 측정 방법_3
TTV 맵핑 결과

[평균] 두께 : 24.4 μm / TTV : 2.9 μm

n=1 n=2 n=3 n=4 n=5
TTV 맵핑 결과 n=1 TTV 맵핑 결과 n=2 TTV 맵핑 결과 n=3 TTV 맵핑 결과 n=4 TTV 맵핑 결과 n=5
Thk:25.1μm
TTV:3.4μm
Thk:24.5μm
TTV:2.8μm
Thk:24.7μm
TTV:2.9μm
Thk:24.3μm
TTV:2.7μm
Thk:23.4μm
TTV:2.9μm
  • 당사의 독자적인 「 Pre-UV 기술 」로 업계 최고의 TTV 제어성을 제공합니다.
  • <3μm@ 12"웨이퍼

Ⅱ.열처리 후 잔류물 평가 <오븐에 의한 박리 테스트>

체크 포인트 :

  • 내열성
장비 및 조건
  • 메이커: ETAC
  • 모델: CSO-603BF
  • 온도: 180-220°C
  • 시간: 1~2 시간
장비 및 조건
웨이퍼 샘플
  • 웨이퍼 샘플
  • TEG 웨이퍼 샘플

8inch Bump TEG Wafer

웨이퍼 샘플
테스트 결과
180°C 200°C 220°C
1 시간 TEG 웨이퍼 열처리 후 잔류 평가. 180°C1hr TEG 웨이퍼 열처리 후 잔류 평가. 200°C1hr TEG 웨이퍼 열처리 후 잔류 평가. 220°C1hr
2 시간 TEG 웨이퍼 열처리 후 잔류 평가. 180°C2hr TEG 웨이퍼 열처리 후 잔류 평가. 200°C2hr TEG 웨이퍼 열처리 후 잔류 평가. 220°C2hr

220°C 2시간의 열 스트레스 후, 패턴화된 TEG 웨이퍼 상에 잔류물은 보이지 않았습니다.

단면 내열 SELFA™ HS Series

특성:

  • 내열성
  • 내화학성
  • 저잔류물

리플로우, CVD, 스퍼터 등의 열공정 시에 디바이스를 서포트, 보호합니다.

단면내열 SELFA™ HS Series

프로세스

  • 라미네이션
    라미네이션
  • Pre UV
    Pre UV
  • BG
    BG
  • 수송
    수송
  • 열처리 프로세스
    열처리 프로세스
  • De-Taping
    De-Taping

내열성 테스트 (보이드)

핫플레이트 평가

샘플
핫플레이트 평가 : 샘플
장비 · 조건
핫플레이트 평가 : 장비 · 조건
  • 메이커: NINOS
  • 모델: ND-3H
  • 온도: 180-250°C
  • 시간: 30-180분

테스트 결과

가열 후의 박리성
30분 60분 120분 180분
180°C OK OK OK OK
220°C OK OK OK OK
250°C OK OK OK OK
  • 상기 데이터는 측정치이며, 보증치는 아닙니다.
가열 후 접착 강도
핫플레이트 평가 : 가열 후 접착 강도
가열 후 웨이퍼 상태
가열 후 웨이퍼 상태

핫 플레이트 평가로 열처리 중의 보이드 발생이 없고, 박리시에는 잔류물이 최대 220°C/180분까지 발생하지 않는 것을 확인했습니다.

단면자기박리
SELFA™ MP Series

특성:

  • 쉽게 벗겨지는

도금 공정시의 웨이퍼 이면 보호용 테이프입니다. UV 조사에 의해 가스가 발생하는 것으로, 피착체로부터 박리할 수 있습니다.

단면자기박리 SELFA™ MP Series

무전해 도금 처리 시의 웨이퍼 보호 공정(무전해 도금 방법)

  • 테이프 라미네이션
    테이프 라미네이션
  • 산, 알칼리 도금 공정
    산, 알칼리 도금 공정
  • UV조사
    UV조사
  • 박리 후
    박리 후

도금 공정의 강산·강 알칼리에의 내성이 뛰어나, 웨이퍼를 보호한 후에는, 저응력으로의 박리가 가능합니다

보이드와 잔류물 결과

체크 포인트:

  • 경박리

Au 도금 후의 웨이퍼

Au 도금 후의 웨이퍼

보이드, 엣지부분의 박리 없음

유기잔류물 검사@8'웨이퍼

유기잔류물 검사@8'웨이퍼

SELFA™ MP는 박리 후 잔류물이 관찰되지 않았습니다.

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명칭 종류 형식 갱신일 파일
카탈로그 〈일렉트로닉스〉:고내열 임시 고정용 UV 테이프 SELFA™ 시리즈 일렉트로닉스 pdf 2025-09-30 다운로드733.60 KB