내열성과 박리기술을 이용한 새로운 반도체 공정의 실현 「SELFA™」

SELFA™?

SELFA™는 높은 접착력을 가지면서 간단한 박리를 가능하게한 우수한 테이프입니다.UV조사로 테이프와 피착체 사이에 가스가 발생하여, 밀착력을 제로로 만들어, 쉽게 떼어낼 수 있습니다.

Point!

얇게 연마된 웨이퍼 등도 데미지 없이 가공이 가능합니다.

SELFA™이미지 사진

SELFA™는 어떤 때에 사용되나요?

반도체 웨이퍼칩 제조에 주로 사용되는 SELFA™.현재는 패키지 제조, 웨이퍼 서포트, 도금 공정 등의 다양한 프로세스를 위해 3종류의 제품의 라인업을 가지고 있습니다.

Point!

단면, 양면 등 용도에 맞춰 제안드립니다.

SELFA™의 라인업
SEKISUI Temporary Bonding and Debonding SELFA™

SELFA™의 핵심 기술

고내열성을 가진 임시 고정 재료를 찾고 있음

화살
내열성

내열성

  • 업계가 압도하는260°C 내열 사양
  • Reflow 등새로운 공정에 적용

웨이퍼로의 데미지가 걱정

화살
경박리

경박리

  • 가스 발생 박리 기술에 의한데미지리스 박리
  • 초박형 디바이스에 적용

열 공정 후의 잔류물을 없에고 싶음

화살
저잔류물

저잔류물

  • PreUV 기술에 의한 찌꺼기 없음
  • 폭넓은Process window

SELFA™의 박리기술

SELFA™의 박리 데모 동영상

섬세한 웨이퍼 표면을 손상시키지 않고 쉽게 떼어낼 수 는 타제품에는 없는 고도기술을 볼 수 있습니다.

2단계 UV조사

1PreUV 경화
PreUV 경화

기존의 UV테이프의 점착력은 열처리 중에 상승하고, UV후에도 그다지 저하되지 않기 때문에, 박리되기 어렵고, 잔류물의 문제도 발생하고 있었어요.

SELFA™는 Pre-UV로 점착층을 경화시키는 것으로 점착력을 대폭 저하, 열처리 중의 들뜸도 적은 것으로 박리가 용이해져, 잔류물의 감소를 실현했습니다.

2gas 발생
gas 발생

UV처리 중에 SELFA™와 글래스캐리어 사이에서 질소가스가 발생합니다. 가스 영역이 확장되어 결국 전체를 덮게 됩니다.

UV처리 후 글래스캐리어는 거의 힘을 쓰지 않고 간단하게 제거할 수 있습니다.

SELFA™와 액체재료의 프로세스 비교

SELFA™를 사용함으로써 접착· 박리 프로세스를 대폭 단축할 수 있습니다

프로세스

SELFA™

SELFA™ : 접착
SELFA™ : 본딩
SELFA™ : 디본딩
SELFA™ : 박리
UV 박리 테이프 SELFA™

제품개발 스토리SEKISUIProduct Development Story

“접착과 박리”의 혁신적 기술로
반도체 프로세스의 진화를 지탱해 나가는SELFA™

고기능 플라스틱 컴퍼니 개발연구소 전 소장
(2019년에 정년 퇴직)
현 사이언스 랩(Science Lab) 이시즈에(礎) 대표

나카스가 아키라

고기능 플라스틱 컴퍼니 개발연구소
일렉트로닉스 재료개발센터
주임기술원

다카하시 도시오

SELFA™라인업

양면 내열SELFA™ HW Series

BGDicing process

양면 내열SSELFA™ HW Series
  • 뛰어난 내열성, 내약품성
  • 가스 발생을 이용한 데미지 없는 박리
  • 테이프 방식의 글래스 서포트를 이용
    →하여 핸들링성 향상
제품 상세

단면 내열SELFA™ HS Series

약품 공정시에 디바이스 보호열공정시의 휨 억제

단면 내열SELFA™ HS Series
  • 뛰어난 내열성, 내약품성
  • 강점착 + 저잔류물 양립 실현
제품 상세

단면자기박리SELFA™ MP Series

도금 공정시의 디바이스 보호

단면자기박리SELFA™ MP Series
  • UV 자가 박리 기능을 이용하여 도금

    →후에도 간단하게 박리할 수 있습니다.
제품 상세

SELFA™성능 비교표

제품/조건 HW Series HS Series MP Series
내열성 260°C / Reflow 250°C / Reflow 80°C / 30min.
220°C / 2hr 220°C / 2hr
접착 강도 (N /인치)
초기 → Pre UV
웨이퍼측 SUS: 10.50.01 SUS: 3.830.08 SUS: 17.50
Si: 0.080.02 Si: 0.060.02 Si: 16.10
- Cu: 4.510.10 Au: 13.50
캐리어 측 Glass: 0.06<0.01 - -

활용 사례 및 적용프로세스

CMOS이미지센서

CMOS이미지센서

  • 양면내열
    SELFA™ HW
적층형 메모리

적층형 메모리

  • 양면내열
    SELFA™ HW
  • 단면내열
    SELFA™ HS
통신 모듈

통신 모듈

  • 단면내열
    SELFA™ HS
어플리케이션프로세서의 PoP

어플리케이션프로세서의 PoP

  • 양면내열
    SELFA™ HW
  • 단면내열
    SELFA™ HS
부품내장기판

부품내장기판

  • 양면내열
    SELFA™ HW
  • 단면내열
    SELFA™ HS
  • 단면
    SELFA™ MP
파워반도체

파워반도체

  • 단면
    SELFA™ MP

양면SELFA™ 프로세스자 동화

완전 자동화 프로세스에 대응하여 생산성 향상·환경 부하 저감에 공헌

장비업체와의 제휴에 의해, 완전 자동화 라인의 구축이 가능. 대폭적인 생산성 향상과 환경 부하 저감을 실현할 수 있습니다.

장비 소개

웨이퍼 본딩 장치
①웨이퍼 본딩 장치
Takatori Corporation
WSM-200B
웨이퍼 디본딩 장치
②웨이퍼 디본딩 장치
Takatori Corporation
WSR-200

SELFA™재사용대응

기존 제품의 2배의 재사용으로 지속 가능한 발전목표(SDGs)에 공헌

캐리어글래스 재이용

SELFA™를 사용함으로 캐리어글래스의 움푹 패임이 없어, 재활용에도 뛰어납니다.

SELFA™ 액체
재사용 횟수 20회 이상 10회 이상
스트립핑 방식 UV램프
UV레이저
각종 레이저
재사용 방법 주로 용제 세정 용제 세정, 연마 등
레이저 절제시
유리의 함몰
없음
SELFA™ 레이저 절제시유리의 함몰
있음
액체 레이저 절제시유리의 함몰
효과 SELFA™ UV박리에 의한 데미지 경감
UV박리에 의한 데미지 경감
액체 레이저 절제시유리의 함몰
레이저 박리에 의한 데미지 있음
UV 박리 테이프 SELFA™

제품개발 스토리SEKISUIProduct Development Story

“접착과 박리”의 혁신적 기술로
반도체 프로세스의 진화를 지탱해 나가는
SELFA™

고기능 플라스틱 컴퍼니 개발연구소 전 소장
(2019년에 정년 퇴직)
현 사이언스 랩(Science Lab) 이시즈에(礎) 대표

나카스가 아키라

고기능 플라스틱 컴퍼니 개발연구소
일렉트로닉스 재료개발센터
주임기술원

다카하시 도시오